高效晶體硅電池技術-表面鈍化
來源：網絡來源 日期：2012-9-7 作者：全球電池網 點擊：
早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對入射光的吸收，但該方法均需先單獨采用熱氧化方法生長一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對硅的腐蝕抑制Ag的擴散速度從而使后續快燒工藝溫度范圍更寬易于調節，而且致密的 SixNy膜層是有害雜質良好的阻擋層。同時生成的氫原子對硅片具有表面鈍化與體鈍化的雙重作用，可以很好地修復硅中的位錯、表面懸掛鍵，提高了硅片中載流子的遷移率因而迅速成為高效電池生產的主流技術。雙層SiN減反射膜，通過控制各膜層中硅的富集率實現了5.5%的反射率;而另一種SiN與SiO混合膜，其反射率更是低至4.4%，目前廣泛采用的單層SiN膜減反射率最優為10.4%.
在電池背面生長一層10～30nmSiN膜以期最大限度對電池進行鈍化與缺陷的修復從而提高電池的效率是目前的一個熱點課題，由于該技術牽涉到與后面的絲網印刷技術、電極漿料技術及燒結工藝的配合目前尚處于實驗研究階段，但它肯定是今后的一個發展趨勢。
匹配封裝材料對光譜的折射率定制減反射膜以獲得最佳的實際使用效果是光伏企業技術實力的體現!如何減少電磁波對電池表面PN結輻射損傷以及損傷的有效修復是該工藝的核心技術，處理不好往往導致電池效率一致性較差。裝備方面有連續式間接HF-PECVD、管式直接LF-PECVD。
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