CPL Solar電鍍?cè)O(shè)備可為晶硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行金屬鍍膜，該設(shè)備可通過(guò)超薄銀漿精細(xì)種子層提高電池效率，以便于批量生產(chǎn)。
目前大部分生產(chǎn)商通過(guò)絲印厚膜銀漿為晶硅太陽(yáng)能電池進(jìn)行正面電鍍。通常情況下，為了獲得足夠的導(dǎo)電能力，絲網(wǎng)印刷接觸指寬達(dá)120微米。為提高電池效率，則需增大電池的活性面積(包括半導(dǎo)體層和接觸層)，即減少底紋，這就要求要減少接觸指的寬度。但是若絲網(wǎng)印刷接觸指長(zhǎng)寬比不當(dāng)，將導(dǎo)致接觸指電阻增大，從而限制電池效率的提高。
CPL（Cell Plating Line）工藝使用超薄銀漿精細(xì)種子層，可以通過(guò)電鍍銀或者鎳-銅-錫來(lái)進(jìn)一步增強(qiáng)接觸指的導(dǎo)電能力。這既能形成精細(xì)的接觸指，又能有效減少電阻。該工藝不僅能將電池效率提高0.5%，還能大幅減少銀漿的使用量。CPL設(shè)備可處理晶體硅電池的尺寸達(dá)6"x6"，可選金屬為Ag或者Ni-Cu-Sn。典型的Ag鍍膜厚度可達(dá)5um；Ni為1um，Cu為8um，Sn為3um。該設(shè)備的年產(chǎn)能可達(dá)45-50MW，并可根據(jù)客戶的需求進(jìn)行定制化產(chǎn)能設(shè)計(jì)。
CPL設(shè)備配有自動(dòng)電池裝載系統(tǒng)(棧式及槽式均可)。由于電池在CPL生產(chǎn)線上進(jìn)行傳送時(shí)始終保持豎直狀態(tài)，其所受化學(xué)阻力的損害顯著小于水平傳送狀態(tài)下所受損害。CPL設(shè)備優(yōu)勢(shì)極為明顯，降低化學(xué)原料使用量的同時(shí)，大幅減少生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的廢水量。
評(píng)論表單加載中...