美國復合半導體制造商RFMD生產首個III-V太陽能電池
來源： 索比太陽能網 日期：2010-3-17 作者：全球電池網 點擊：
美國復合半導體制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通過使用標準半導體晶片設備成功制造出太陽能電池，標志著6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多結光伏電池量產方面獲得突破。
去年RFMD開始與美國國家可再生能源實驗室(NREL)合作，以NREL的電池設計知識產權為基礎，開發高效能多結光伏電池的商用高產復合半導體制程。RFMD計劃2012年開始投產，成為CPV(聚光光伏)電池低成本生產的先驅，使CPV市場能在每瓦生產成本方面與普通晶硅及薄膜技術一決高下。
NREL負責人Dan Arvizu表示，"NREL與RFMD的合作表明我們致力于開發可再生能源技術，并與優秀的伙伴合作將每項技術推向市場、投入應用。衷心祝賀RFMD所取得的成就，實現了技術性能上的首座里程碑。"
RFMD預期該項目將由"基礎階段"轉入"技術示范階段"，并將應用NREL的知識產權與技術。實驗室已證明該太陽能電池轉換效率最高可達40.8%。
6英寸晶片是III-V族半導體量產中使用的最大尺寸晶片。目前復合太陽能電池的制造仍使用較小尺寸晶片及低效率生產設備。
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